Neu Abbildung von Sinnwell | On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications | 1. Auflage | 2025 | beck-shop.de

Sinnwell

Erschienen: 21.08.2025

On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications

Fraunhofer IRB Verlag

ISBN 978-3-8396-2103-5

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Bibliografische Daten

Fachbuch

Buch. Softcover

2025

Umfang: 185 S.

Format (B x L): 14,8 x 21 cm

Verlag: Fraunhofer IRB Verlag

ISBN: 978-3-8396-2103-5

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Fraunhofer IRB Verlag

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